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碳化硅（SiC）屬于第三代半導體，SiC MOSFET相比于傳統Si器件更易在高壓、高頻、高溫條件下工作，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的柵氧層可靠性，且高溫下Rdson偏移小可獲得更好的高溫特性，1700V耐壓極適用于眾多電力應用場合下接入高壓母線的輔助電源，派恩杰對此SiC MOSFET進行優化，可以使用0V電壓關斷，多種封裝形式可直接PIN對PIN直接替換現有高壓Si MOSFET和Si IGBT此 SiC MOSFET采用 TO247-3 引腳封裝可直接PIN對PIN替換同封裝Si MOSFET，提供更高性價比。

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