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也就是人們常說的普通晶閘可控硅可控硅管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a）〕：層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因為它的特性類似于真空閘流管，所以上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T，又因為晶閘管初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。在性能上，可控硅不僅具有單向導電性。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數的、三層看面是一只NPN型號晶體管，而三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發信號，BG1將產生基極電流Ib1，經放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。即上電試機。在上電前后必須注意以下幾點：上電之前，須確認輸入電壓是否有誤，將380V電源接入220V級變頻器之中會出現炸機（炸電容、壓敏電阻、模塊等）；檢查變頻器各接插口是否已正確連接，連接是否有松動，連接異常有時可能會導致變頻器出現故障，嚴重時會出炸機等情況；上電后檢測故障顯示內容，并初步斷定故障及原因；如未顯示故障，首先檢查參數是否有異常，并將參數復歸后，在空載（不接電機）情況下啟動變頻器，并測試U、V、W三相輸出電壓值。如出現缺相、三相不平衡等情況，則模塊或驅動板等有故障；在輸出電壓正常（無缺相、三相平衡）的情況下，負載測試，盡量是滿負載測試。[1]故障判斷整流模塊損壞通常是由于電網電壓或內部短路引起。

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南芬區批發韓國Autovalve閥門RS50-15F-VCEF-LS(EX)-FR-SC(NC)或可采用高速可控硅(晶閘管)。關于連續峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續峰值開路電壓VDRM的值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上[2]。啟動方式運用串接于電源與被控電機之間的軟起動器，控制其內部晶閘管的導通角，使電機輸入電壓從零以預設函數關系逐漸上升，直至起動結束，賦予電機全電壓，即為軟起動，在軟起動過程中，電機起動轉矩逐漸增加，轉速也逐漸增加。軟起動一般有下面幾種起動方式。斜坡升壓軟起動：這種起動方式簡單，不具備電流閉環控制，僅調整晶閘管導通角，使之與時間成一定函數關系增加。其缺點是，由于不限流，在電機起動過程中，有時要產生較大的沖擊電流使晶閘管損壞，對電網影響較大，實際很少應用。斜坡恒流軟起動：這種起動方式是在電動機起動的初始階段起動電流逐漸增加，當電流達到預先所設定的值后保持恒定（t1至t2階段），直至起動完畢。起動過程中。當時，國內鼠籠型異步電動機一般采用直接啟動，或用自耦、星三角啟動器啟動。上世紀九十年代，以單片機為核心、半導體可控硅為執行元件的智能化電機軟啟動器進入市場，并在2000年以后開始加速發展，目前市場規模約為20億。軟啟動器主要解決電動機啟動時對電網的沖擊和啟動后旁路接觸器工作的問題，對電機有較好的保護作用，在輕載情況下可以實現一定程度的節能（約5%），但是節能效果遠遠不如變頻器。隨著變頻器產業的崛起，并因此使變頻器的價格大幅下降，近幾年來，變頻器才又逐漸取代了軟啟動器的作用。變頻器的國產化進程正在快速崛起，質量穩定性進步很快，加上服務和成本上的優勢，變頻調速的性價比高，質量和價格的競爭優勢越來越明顯。