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具體扶持方式

(一)集成電路企業(yè)研發(fā)多項目晶圓(MPW)流片的，按直接費用的80%給予補貼;

(二)集成電路設(shè)計企業(yè)購買光罩、研發(fā)全掩膜(Full MASK)流片的，按直接費用的40%給予補貼;

(三)集成電路設(shè)計企業(yè)研發(fā)工程片、試流片的，按加工費用的30%給予補貼。

設(shè)計企業(yè)購買光罩、研發(fā)全掩膜流片的直接費用，與研發(fā)工程片、試流片的加工費用難以(不能)進行區(qū)分的，統(tǒng)一按照30%給予補貼;各種工藝制程下研發(fā)工程片、試流片時，所需的晶圓(wafer)數(shù)量應(yīng)該合理，最大不超過25片;晶圓廠收取的加工費用包括數(shù)量合理的晶圓(wafer)費用。

上述三項補貼，同一企業(yè)每年合計最高補貼600萬元。

申報條件

(一)申請企業(yè)的工商注冊地、稅務(wù)征管關(guān)系及統(tǒng)計關(guān)系在黃埔區(qū)、廣州開發(fā)區(qū)及其受托管理和下轄園區(qū)(以下簡稱本區(qū))范圍內(nèi)，有健全財務(wù)制度、具有獨立法人資格(或視同法人單位)、獨立核算的新一代信息技術(shù)企業(yè)。申請企業(yè)屬于新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的集成電路及關(guān)鍵元器件產(chǎn)業(yè);企業(yè)是否屬于政策扶持范圍，按照《集成電路企業(yè)認定條件》(見附件)進行認定。(二)申請的項目研發(fā)補貼對應(yīng)的研發(fā)費用應(yīng)在《實施意見》發(fā)布后且在政策有效期內(nèi)產(chǎn)生。

(三)申請本項補貼的企業(yè)，應(yīng)當(dāng)設(shè)立研發(fā)項目的財務(wù)輔助賬，申請上級和本級財政資助總額不能超過企業(yè)項目自籌資金總額，超過部分不予支持。項目已申請上級和本級財政資助的，必須在申請表中明確并對超過企業(yè)項目自籌資金總額部分予以核減。

(四)同一法人代表企業(yè)、隸屬于同一集團企業(yè)、關(guān)聯(lián)企業(yè)、控股企業(yè)、母子公司等相關(guān)企業(yè)之間互相采購產(chǎn)品和服務(wù)不納入補貼范圍。

(五)近3年在申報和承擔(dān)國家、省、市和區(qū)等各級的科技計劃項目中無不良信用記錄

申報時間

(一)事項預(yù)審：申報單位登陸區(qū)政策兌現(xiàn)系統(tǒng)(http://zcdx.gdd.gov.cn)于10月14日-10月18日申請事項預(yù)審。

(二)提交紙質(zhì)審批材料：10月21日-10月25日。