在一個
存儲器中容納的
存儲單元總數通常稱為該存儲器的存儲容量。
存儲容量用字數或字節數(B)來表示，如64K字，512KB，10MB。外存中為了表示更大的存儲容量，采用
MB，GB，TB等單位。其中1KB=2^10B，1MB=2^20B，1GB=2^30B，1TB=2^40B。B表示
字節，一個字節定義為8個
二進制位，所以
計算機中一個字的
字長通常為8的倍數。
存儲容量這一概念反映了
存儲空間的大小。
時間
又稱
存儲器訪問時間或讀∕寫時間，是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間。具體講，從一次讀操作
命令發出到該操作完成，將數據讀入
數據緩沖寄存器為止所經歷的時間，即為
存儲器存取時間。
周期
是指連續啟動兩次獨立的
存儲器操作(如連續兩次讀操作)所需間隔的最小時間。通常，存儲周期略大于存儲時間，其時間單位為ns
產品分類
RAM是構成內存的主要部分，其內容可以根據需要隨時按地址讀出或寫入，以某種電觸發器的狀態存儲，斷電后信息無法保存，用于暫存數據，又可分為DRAM和SRAM兩種。RAM一般使用動態半導體存儲器件（DRAM）。因為CPU工作的速度比RAM的讀寫速度快，所以CPU讀寫RAM時需要花費時間等待，這樣就使CPU的工作速度下降。人們為了提高CPU讀寫程序和數據的速度，在RAM和CPU之間增加了高速緩存（Cache）部件。Cache的內容是隨機存儲器（RAM）中部分存儲單元內容的副本。
ROM是只讀存儲器，出廠時其內容由廠家用掩膜技術寫好，只可讀出，但無法改寫。信息已固化在存儲器中，一般用于存放系統程序BIOS和用于微程序控制。
PROM是可編程ROM，只能進行一次寫入操作（與ROM相同），但是可以在出廠后，由用戶使用特殊電子設備進行寫入。
EPROM是可擦除的PROM，可以讀出，也可以寫入。但是在一次寫操作之前必須用紫外線照射，以擦除所有信息，然后再用EPROM編程器寫入，可以寫多次。
EEPROM是電可擦除PROM，與EPROM相似，可以讀出也可寫入，而且在寫操作之前，不需要把以前內容先擦去，能夠直接對尋址的字節或塊進行修改。
閃速存儲器（Flash Memory），其特性介于EPROM與EEPROM之間。閃速存儲器也可使用電信號進行快速刪除操作，速度遠快于EEPROM。但不能進行字節級別的刪除操作，其集成度高于EEPROM。[1]
連接控制
容量擴展
芯片片選
CPU要實現對
存儲單元的訪問，首先要選擇
存儲芯片，即進行片選；然后再從選中的芯片中依地址碼選擇出相應的存儲單元，以進行數據的存取，這稱為字選。片內的字
構造圖
選是由CPU送出的N條低位
地址線完成的，地址線直接接到所有
存儲芯片的地址輸入端，而存儲芯片的
片選信號則大多是通過高位地址譯碼后產生的。
線選法：
線選法就是用除片內尋址外的高位
地址線直接分別接至各個
存儲芯片的
片選端，當某地址線信息為0時，就選中與之對應的存儲芯片。這些
片選地址線每次尋址時只能有一位有效，不允許同時有多位有效，這樣才能保證每次只選中一個芯片。線選法不能充分利用系統的
存儲器空間，把
地址空間分成了相互隔離的區域，給編程帶來了一定困難。
全譯碼法：
全
譯碼法將除片內
尋址外的全部高位
地址線都作為地址
譯碼器的輸入，譯碼器的輸出作為各芯片的
片選信號，將它們分別接到
存儲芯片的片選端，以實現對存儲芯片的選擇。全
譯碼法的優點是每片芯片的地址范圍是唯一確定的，而且是連續的，也便于擴展，不會產生地址重疊的
存儲區，但全譯碼法對譯碼
電路要求較高。
部分
譯碼法：所謂部分譯碼法即用除片內尋址外的高位地址的一部分來譯碼產生
片選信號，部分譯碼法會產生地址重疊。
連接方法
主存與CPU之間的
硬連接：主存與CPU的硬連接有三組連線：
地址總線（AB）、
數據總線（DB）和
控制總線（CB）。把主存看作一個黑盒子，存儲器地址寄存器（MAR）和存儲器數據寄存器（MDR）是主存和CPU之間的接口。MAR可以接收由
程序計數器（PC）的指令地址或來自
運算器的
操作數的地址，以確定要訪問的單元。MDR是向主存寫入數據或從主存讀出數據的緩沖部件。MAR和MDR從功能上看屬于主存，但通常放在CPU內。
CPU對主存的基本操作：CPU對主存進行讀寫操作時
模擬圖
，首先CPU在地址總線上給出地址信號，然后發出相應的讀寫
命令，并在數據總線上交換信息。讀寫基本操作如下：
讀：讀操作是指從CPU送來的地址所指定的
存儲單元中取出信息，再送給CPU，其操作過程如下：
地址——>MAR——ABCPU將地址信號送至地址總線
發讀命令
M(MAR)——>DB——>MDR讀出信息經數據總線至CPU
寫：寫操作是指將要寫入的信息存入CPU所指定的
存儲單元中，其操作過程是：
地址——>MAR——>ABCPU將地址信號送至地址總線
數據——>MDR——>DBCPU將要寫入的數據送至數據總線
發寫命令
WaitForMFC等待存儲器工作完成信號
CPU與主存之間的速度匹配：同步
存儲器讀取和異步存儲器讀取。
異步存儲器讀。篊PU和主存間沒有統一的時鐘，由主存工作完成信號（MFC）通知CPU“主存工作已完成”。
同步存儲器讀。篊PU和主存采用統一時鐘，同步工作，因為主存速度較慢，所以CPU與之配合必須放慢速度，在這種存儲器中，不需要主存工作完成信號。
應用技術
快速讀寫
快速頁式工作技術(動態存儲器的快速讀寫技術)：讀寫動態存儲器同一行的數據時，其
行地址第一次讀寫時鎖定后保持不變，以后讀寫該行多列中的數據時，僅鎖存列地址即可，省去了鎖存行地址的時間，加快了主
存儲器的讀寫速度。
EDO(ExtendedDataOut)技術：在快速頁式工作技術上，增加了
數據輸出部分的數據鎖存線路，延長輸出數據的有效保持時間，從而地址信號改變了，仍然能取得正確的讀出數據，可以進一步縮短地址送入時間，更加快了主存儲器的讀寫速度。
并行讀寫
是指在主
存儲器的一個工作周期(或較長)可以讀出多個主存字所采用的技術。
方案1：一體多字結構，即增加每個主存單元所包括的
數據位，使其同時
存儲幾個主存字，則每一次讀操作就同時讀出了幾個主存字。
方案2：多體交叉
編址技術，把主
存儲器分成幾個能獨立讀寫的、
字長為一個主存字的主體，分別對每一個存儲體進行讀寫;還可以使幾個存儲體協同運行，從而提供出比單個存儲體更高的讀寫速度。
有兩種方式進行讀寫：
1在同一個讀寫周期同時啟動所有主存體讀或寫。
2讓主存體順序地進行讀或寫，即依次讀出來的每一個
存儲字，可以
主存儲器
通過數據總線依次傳送走，而不必設置專門的
數據緩沖寄存器;其次，就是采用交叉編址的方式，把連續地址的幾個存儲字依次分配在不同的存儲體中，因為根據程序運行的局部性特性，短時間內讀寫地址相鄰的主存字的概率更大。
數據傳送
所謂成組數據傳送就是地址總線傳送一次地址后，能連續在數據總線上傳送多個數據。而原先是每傳送一次數據要使用兩個
時鐘周期：先送一次地址，后跟一次數據傳送，即要傳送N個數據，就要用2N個總線時鐘周期，成組數據傳送方式只用N+1個總線時鐘周期。
實現成組
數據傳送方式，不僅CPU要支持這種運行方式，主存也能提供足夠高的數據讀寫速度，這往往通過主存的多體結構、
動態存儲器的EDO支持等措施來實現。
動靜態
靜態
(1)
靜態存儲器的存儲原理和芯片內部結構(P207)
地址總線：記為AB15～AB0,統一由
地址寄存器AR驅動，地址寄存器AR只接收ALU輸出的信息。
（1）內存寫周期用MMW信號標記
（5）內存在工作用MMREQ信號標記
（6）外設在工作用IOREQ信號標記
（7）寫控存周期用SWA信號標記
數據總線：分為內部數據總線IB與外部數據總線DB兩部分。主要完成
計算機各功能部件之間的
數據傳送。設計總線的核心技術是要保證在任何時刻只能把一組數據發送到總線上，卻允許一個和多個部件同時接受總線上的信息。所用的
電路通常為三態門電路。
系統時鐘及時序：教學機晶振1.8432MHz，3分頻后用614.4KHz的時鐘作為系統主時鐘，使CPU、內存、IO同步運行。CPU內部的有些
寄存器用時鐘結束時的上升沿完成接受數據，而
通用寄存器是用低電平接收的。內存或I/O讀寫操作時，每個總線周期由兩個時鐘組成，第一個時鐘，稱為地址時間，用于傳送地址;第二個時鐘，稱為數據時間，用于讀寫數據
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