品牌 | 產地 | 型號 | 特點 |
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Micro Resist | 德國 | mr-I 7000E系列 | Tg = 60℃ 優異的成膜質量 由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間 壓印溫度125 - 150℃，壓印壓力20 - 50 bar Plasma刻蝕阻抗性能優于PMMA 可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率） |
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mr-I 8000E系列 | Tg = 115℃ 優異的成膜質量 由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間 壓印溫度170 - 190℃，壓印壓力20 - 50 bar Plasma刻蝕阻抗性能優于PMMA 可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率） |
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mr-I PMMA 35k/75k系列 | Tg = 105℃ 優異的成膜質量 低分子量從而實現高效的流動性 壓印溫度150 - 180℃，壓印壓力50 bar 可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率） |
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mr-I T85系列 | Tg = 85℃ 優異的成膜質量 壓印溫度140 - 170℃，壓印壓力大于5 bar Plasma刻蝕阻抗性能優于傳統的Novolak基光膠 非極化熱塑性、具有優異的紫外和光學透過率，高化學穩定性 可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率） |
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mr-I 9000E系列 | 熱固化之前Tg = 35℃ 優異的成膜質量
接近等溫加工處理
n?壓印溫度120℃
n?脫模溫度100℃
壓印時溫度從Tg到Tg，Cured增加并固化
非常低的殘余膠層厚度低至5 nm
Plasma刻蝕阻抗性能優于傳統的Novolak基光膠
可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率） |
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mr-NIL 6000系列 | 光化學固化之前Tg = 40℃ 優質的固體光膠薄膜 接近等溫加工處理：壓印、紫外曝光固化，壓印與脫模在同一溫度下進行 非常低的殘余膠層厚度低至10 nm 圖案轉移時高保真度 Plasma刻蝕阻抗性能優于傳統的Novolak基光膠
可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）
寬帶或i線曝光 |
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mr-UVCur06 | 旋涂使用 優質的成膜質量和膠厚均一性 室溫加工處理 由于快速地填充模版孔隙從而縮短工藝時間 低劑量紫外曝光快速固化 可獲得優于30 nm的分辨率（取決于模版分辨率） Plasma刻蝕高阻抗性能 O2 Plasma刻蝕可無殘余去除 寬帶或i線曝光 |
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