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單晶硅片規(guī)格書

材質(zhì)：CZ法單晶硅/FZ區(qū)熔單晶硅
直徑：
50.8mm（2英寸），100mm（4英寸），
150mm（6英寸），200mm（8英寸）
晶向 lt;100>， <100> <111>
導(dǎo)電類型：N型，P型，高阻
拋光：單面拋光，雙面拋光
拋光面粗糙度 lt; 0.5nm
氧化層：可定制
TTV≤10 um
包裝：25片/盒卡塞裝

硅材料是目前主要的元素半導(dǎo)體材料，用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池等領(lǐng)域，是電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料。熱氧化是硅平面技術(shù)中一項(xiàng)重要的工藝，硅與含有氧化物質(zhì)的氣體，如水汽和氧氣在高溫下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，在硅片表面產(chǎn)生一層致密的二氧化硅(SiO2)絕緣薄膜，具有穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)，在集成電路制造中有廣泛的應(yīng)用。