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DMN1260UFA-7B電子元器件DIODES封裝-批次22
DMN1260UFA-7B電子元器件DIODES封裝-批次22 價格：0.20  元(人民幣) 產地：廣東省深圳市
最少起訂量：1 發貨地：廣東省深圳市
上架時間：2024-04-02 04:32:08 瀏覽量：41
深圳市百能信息技術有限公司  
經營模式：生產加工 公司類型：其他有限責任公司
所屬行業：變壓器、電感器 主要客戶：
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產品參數
品牌DIODES
批號22
數量10000
制造商Diodes Incorporated
產品種類MOSFET
RoHS是
安裝風格SMD/SMT
封裝 / 箱體X2-DFN0806-3
晶體管極性N-Channel
通道數量1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓12 V
Id-連續漏極電流200 mA
Rds On-漏源導通電阻366 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓- 8 V
8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓1 V
Qg-柵極電荷960 pC
最小工作溫度- 55 C
最大工作溫度 150 C
Pd-功率耗散360 mW
通道模式Enhancement
配置Single
系列DMN1260
晶體管類型1 N-Channel
下降時間59.2 ns
上升時間18.8 ns
典型關閉延遲時間106.5 ns
典型接通延遲時間7.4 ns
單位重量1 mg
可售賣地全國
型號DMN1260UFA-7B


技術參數

品牌：DIODES
型號：DMN1260UFA-7B
封裝：-
批號：22
數量：10000
制造商：Diodes Incorporated
產品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：X2-DFN0806-3
晶體管極性：N-Channel
通道數量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：12 V
Id-連續漏極電流：200 mA
Rds On-漏源導通電阻：366 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 8 V, 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：1 V
Qg-柵極電荷：960 pC
最小工作溫度：- 55 C
最大工作溫度： 150 C
Pd-功率耗散：360 mW
通道模式：Enhancement
配置：Single
系列：DMN1260
晶體管類型：1 N-Channel
下降時間：59.2 ns
上升時間：18.8 ns
典型關閉延遲時間：106.5 ns
典型接通延遲時間：7.4 ns
單位重量：1 mg

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