| 產品參數 |
| 品牌 | Sinton Instrument |
| 規格 | BLS-I |
| 加工定制 | 是 |
| 商品編號(bn) | BLS-I |
| 測量原理 | QSSPC（準穩態光電導） |
| 電阻率測試范圍 | 0.5–300 Ohm-cm |
| 少子壽命測量范圍： | 100 ns-10 ms |
| 測試模式： | QSSPC，瞬態，壽命歸一化分析 |
| 載流子濃度注入范圍： | 1013-1016cm-3 |
| 測量深度 | 3mm |
| 偏置光范圍 | 0-50suns |
| 外界環境溫度： | 20°C–25°C |
| 通用電源電壓： | 100–240 VAC 50/60 Hz； |
| 傳感器范圍 | 45x15mm |
| 測試溫度 | 20-25° |
| 測試范圍 | 硅棒 |
| 尺寸 | 7.9 cm W x 16.3 cm D x 12.7 cm H |
| 光學常數值 | 0.7 |
| 可售賣地 | 全國 |
| 型號 | 硅棒少子壽命測試儀 | |
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Sinton BLS-I少子壽命測量儀
BLS-I測量系統用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊 體形無嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體 內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況，是單晶質量的重要檢測項目。
Sinton 少子壽命測量儀，BCT-400測試硅錠，BLS-I測試硅棒，Sinton X-閃光燈頭，Sinton X5D閃光燈頭，Sinton X閃光燈座。
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BCT-400測量系統不需要做表面鈍化就能直接測量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設備，具有瞬態和準穩態兩種測量模式。該設備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實現低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強偏置實現單晶缺陷密度計算。
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