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一直以來，在電子器件領域等各種技術領域中，進行對構件施與含有聚合物的組合物的操作。
已知例如，對半導體裝置的層間絕緣層，施與含有具有2個以上陽離子性官能團的重均分子量為2000～100000的聚合物的半導體用組合物的技術(例如，參照專利文獻1)。
此外已知，例如，通過對半導體基板的表面的至少一部分，施與含有具有陽離子性官能團的重均分子量為2000～600000的樹脂的半導體用密封組合物來形成半導體用密封層，將半導體基板的形成了半導體用密封層的面，用25℃時的ph為6以下的沖洗液洗滌的技術(例如，參照專利文獻2)。
進一步已知，例如，在半導體基板的至少凹部的底面和側面，施與含有具有陽離子性官能團且重均分子量為2000～1000000的聚合物的半導體用密封組合物，在至少凹部的底面和側面形成半導體用密封層，將半導體基板的形成了半導體用密封層一側的面，在溫度200℃以上425℃以下的條件下進行熱處理，除去在配線的露出面上形成的半導體用密封層的至少一部分的技術(例如，參照專利文獻3)。
此外已知，例如，具有填充成為貫通通孔電極的貫通通孔電極材的孔，并具有在上述孔的內周面形成的自組裝化單分子膜、和吸附于該自組裝化單分子膜的成為非電解鍍層的催化劑的金屬納米粒子的基板中間體，以及將金屬納米粒子通過選自聚乙烯基吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚亞乙基亞胺、四甲基銨、檸檬酸中的保護劑進行涂覆的技術(例如，參照專利文獻4)。
進一步已知，例如，具備構成tsv結構的一端而包含第1濃度的雜質的第1貫通電極部、和構成tsv結構的其它端而包含大于上述第1濃度的第2濃度的雜質的第2貫通電極部的集成電路元件，以及在形成tsv結構的階段，通過使用包含由胺或芳香族作用基團形成的流平劑的鍍敷組合物的電鍍工序，在基板上形成導電膜的技術(例如，參照專利文獻5)。
此外已知，例如，在具備具有貫通兩面而形成的貫通孔的半導體基板、以覆蓋貫通孔的方式設置的電極焊盤、外部連接用端子、穿通貫通孔并用于將電極焊盤與外部連接用端子導通的導電配線、用于將電極焊盤與半導體基板絕緣的絕緣膜、和為了將導電配線與半導體基板絕緣而在貫通孔內部的表面上設置的第二絕緣膜的半導體裝置中，第二絕緣膜使用由聚酰亞胺、環氧樹脂、丙烯酸系樹脂或有機硅樹脂形成的膜的技術(例如，專利文獻6)。
技術實現要素：
發明所要解決的課題
可是，關于配置貫通電極作為電極的硅等的基板，需要使基板的孔的壁面與配置于孔的電極的密合性提高，并抑制作為電極的導電體從基板剝離。此外，為了抑制耗電的增加、伴隨發熱的元件劣化，需要抑制泄漏電流，將基板與電極間電絕緣。
本發明的一個方案的目的是提供通過使基板的孔的壁面與配置于孔的導電體的密合性提高，可以抑制導電體的剝離并且可以抑制泄漏電流的基板中間體、貫通通孔電極基板以及貫通通孔電極形成方法。
用于解決課題的方法
用于解決上述課題的具體方法如下所述。
＜1＞一種基板中間體，其具備：在厚度方向具有配置導電體的孔的基板、以及在上述孔的壁面形成的密合層，上述密合層包含聚合物(a)與多元羧酸化合物(b)或其衍生物的反應物，所述聚合物(a)具有陽離子性官能團且重均分子量為2000以上1000000以下，所述的多元羧酸化合物(b)或其衍生物的1分子中具有2個以上羧基。
＜2＞根據＜1＞所述的基板中間體，其在上述基板與上述密合層之間進一步具備絕緣層。
＜3＞根據＜1＞或＜2＞所述的基板中間體，上述聚合物(a)的陽離子性官能團當量為27～430。
＜4＞根據＜1＞～＜3＞的任一項所述的基板中間體，上述聚合物(a)為聚亞乙基亞胺或聚亞乙基亞胺衍生物。
＜5＞根據＜1＞～＜4＞的任一項所述的基板中間體，上述多元羧酸化合物(b)具有芳香環。
＜6＞根據＜1＞～＜5＞的任一項所述的基板中間體，上述反應物具有酰胺鍵和酰亞胺鍵中的至少一者。
＜7＞一種貫通通孔電極基板，其具備＜1＞～＜6＞的任一項所述的基板中間體、以及配置于上述孔的作為上述導電體的電極。
＜8＞根據＜7＞所述的貫通通孔電極基板，其在上述密合層與上述電極之間進一步具備阻擋層。
＜9＞一種貫通通孔電極形成方法，其具有下述工序：在厚度方向具有孔的基板的上述孔的壁面上，形成包含具有陽離子性官能團且重均分子量為2000以上1000000以下的聚合物(a)的膜的第1工序；在上述包含聚合物(a)的膜上，施與1分子中具有2個以上羧基的多元羧酸化合物(b)或其衍生物的第2工序；在上述第2工序后，通過將包含上述聚合物(a)與上述多元羧酸化合物(b)或其衍生物的膜，在200℃～425℃加熱來形成密合層的工序；以及在形成了上述密合層的上述孔形成電極的工序。