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    新聞:四平FF225R12MS4大功率IGBT模塊
    發布者:wd55888  發布時間:2019-12-05 14:16:13
    注意事項
    由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一!∫虼耸褂弥幸⒁庖韵聨c:
    1. 在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;
    2. 在用導電材料連接模塊驅動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模塊;
    3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。
    新聞:四平FF225R12MS4大功率IGBT模塊
    如果對“中國低速電動車最高速度限定50公里/小時以內”的命題論證到位并被證明正確,那么“低速電動車的標準和制定是當前中國汽車產業最復雜、最困難的問題”這個命題也就不存在了。有這樣幾個理由:(1)目前中國汽車產業不包括這種車輛;(2)今天這種車就是中國汽車產業的延伸;(3)汽車產業分為兩塊,一塊是低速電動車,一塊是高速車。(4)低速電動車標準可以借鑒高速車的標準,但是不可借用!暗退匐妱榆嚇藴适且粋技術命題”這是一個常識。
    新聞:四平FF225R12MS4大功率IGBT模塊
    在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅動信號,以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。
    此外,在柵極—發射極間開路時,若在集電極與發射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過。這時,如果集電極與發射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發熱及至損壞。
    在使用IGBT的場合,當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會損壞,為防止此類故障,應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
    在安裝或更換IGBT模塊時,應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇,當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱,而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器,當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作 。
    新聞:四平FF225R12MS4大功率IGBT模塊
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    怎樣才能有完全的隱私?要按愛德華·斯諾登的做法,你住進一家酒店,就得用枕頭堵住門縫、拔掉酒店座機、貼上電腦攝像頭、把手機塞進小冰箱。這些就是參與披露棱鏡計劃的《衛報》專欄作家GlennGreenwald與斯諾登在香港初次見面時所目睹的。就像之后許多與斯諾登見面的人一樣,Greenwald當時也將這樣的行為理解成一種過度妄想。關于隱私問題,有很多都市傳說,比如所有的快遞都會被查、手機不關機就能被遠程變成竊聽器、路邊的監控可以認出你是誰。
    新聞:四平FF225R12MS4大功率IGBT模塊
    1. 一般保存IGBT模塊的場所,應保持常溫常濕狀態,不應偏離太大。常溫的規定為5~35℃ ,常濕的規定在45~75%左右。在冬天特別干燥的地區,需用加濕機加濕;
    2. 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合;
    3. 在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象,因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方;
    4. 保管時,須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;
    5. 裝IGBT模塊的容器,應選用不帶靜電的容器。
    6. 檢測IGBT模塊的的辦法。
    新聞:四平FF225R12MS4大功率IGBT模塊
    新聞:四平FF225R12MS4大功率IGBT模塊
    根據專業調查,超過70%的用戶在未來3至5年內,希望以手機、憑證等方式替代用鑰匙開門的傳統方式。物聯網推動智能家居的發展,人們的生活必然呈現智能化趨勢,F在整體的智能安防市場還不夠穩定,尤其對于處在家居領域的智能門鎖來說,更是屬于試驗階段。除了安全問題,還充滿著不確定性。例如,出現故障時,應該用何種方法應對;與其連接的智能設備升級后不能保證兼容性等。這種不確定性會使消費者對其有所保留。另外,由于這一行業尚處在初期,價格往往偏高,這也使廣大的普通消費者望而卻步。

     

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