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新聞:巴中FZ300R12KE3G大功率IGBT模塊

發布者：wd55888 發布時間：2019-12-04 13:53:27

注意事項
由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。　因此使用中要注意以下幾點：
1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸;
2. 在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;
3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。
新聞:巴中FZ300R12KE3G大功率IGBT模塊
江蘇省常州市與中國檢驗認證集團在市行政中心簽署戰略合作協議。根據該協議，未來雙方將圍繞檢驗檢測認證行業開展全面合作，包括整合優勢資源、共建區域性公共技術服務平臺，匯集優勢資源、打造高水平檢驗檢測認證產業園，緊抓“”戰略、發展高層次開放型經濟。中國檢驗認證集團(中檢集團、CCIC)是經國家質量監督檢驗檢疫總局(AQSIQ)許可、國家認證認可監督管理委員會(CNCA)資質認定、中國合格評定國家認可委員會(CNAS)認可，以“檢驗、鑒定、認證、測試”為主業的獨立第三方檢驗認證機構。
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在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。
在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態)，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱，而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。

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其年產500萬件鋁合金摩托車輪轂制造項目開工儀式也同時舉行。據了解，富源今飛鋁汽車輪轂項目，總投資10億元，項目占地301畝，分三期建設。富源今飛鋁合金摩托車輪轂項目系于2016年8月21日簽約，總投資10億元，預計2017年8月建成并試運行投產。上榜理由：汽車輪轂項目投產、摩托車輪轂項目開工，這是浙江今飛集團布局西南地區市場的戰略舉措，云南作為中國經濟欠發達、汽車工業基礎薄弱地區，此次投資對于促進當地經濟增長，帶動汽車及摩托車工業發展，具有一定的助推作用。
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1. 一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5～35℃ ，常濕的規定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區，需用加濕機加濕;
2. 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合;
3. 在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方;
4. 保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;
5. 裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。
6. 檢測IGBT模塊的的辦法。

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雖然是車燈市場的后來開拓者，但晶科電子卯足了勁，進行全方位的戰略部署。在專利方面，晶科電子通過與策略股東晶元光電合作，共享其在LED車燈領域的相關專利，支持晶科的車燈產品銷往全球市場，“這是國內任何一家LED封裝公司及車燈公司都不具備的優勢。”晶科電子產品經理何貴平表示。在渠道方面，晶科電子將與應用端汽車廠商進行強強聯合，晶科發揮自身在LED照明領域的技術優勢，汽車廠商則發揮市場、渠道的優勢，共同合作研發生產汽車照明產品。

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