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PLC企業資訊

新聞:青島BSM200GA170DN2IGBT模塊

發布者：wd55888 發布時間：2019-12-04 10:40:03

注意事項
由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。　因此使用中要注意以下幾點：
1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸;
2. 在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;
3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。
新聞:青島BSM200GA170DN2IGBT模塊
據統計，印度手機用戶近十億人，但是只有三億人使用智能手機，其智能手機市場還存在市場缺口，擁有巨大人口紅利。近期，印度政府廢鈔事件鬧的沸沸揚揚，為了擺脫對炒票的依賴，印度政府和Micromax、Intex、Lava和Karbonn等國內手機廠商溝通，要求這些本土手機廠商推出定價低于2000印度盧比（相當于200元人民幣）的智能手機，支持移動支付和交易。對低價手機配備指紋識別功能提出強行要求，顯示出印度的移動支付業務將出現爆發式的增長。
新聞:青島BSM200GA170DN2IGBT模塊

在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。
在使用IGBT的場合，當柵極回路不正�；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態)，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱，而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。

新聞:青島BSM200GA170DN2IGBT模塊
近日，比亞迪在《投資者關系活動記錄表》中表示，公司在深圳惠州、坑梓兩個動力電池生產基地，目前共有10Gwh的產能。同時比亞迪正在坑梓基地擴建的6Gwh產能，預計會于2017年達產。2016年年末發布的補貼新政，盡管對于新能源汽車技術水平提出了更高的要求，但比亞迪相關人士表示，新政的出臺對2017年汽車銷量將產生重大影響，這對新能源車市場來說未必不是一件好事。在過去的一年，因為新能源汽車政策遲遲不能落地，市場基本持觀望狀態。
新聞:青島BSM200GA170DN2IGBT模塊

1. 一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5～35℃ ，常濕的規定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區，需用加濕機加濕;
2. 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合;
3. 在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方;
4. 保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;
5. 裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。
6. 檢測IGBT模塊的的辦法。

新聞:青島BSM200GA170DN2IGBT模塊
從這一年起，珠海銀隆吃透收購的技術，開啟鈦酸鋰電池量產，同時也終于等到新能源汽車補貼標準的救市政策。截至2015年底，珠海銀隆在廣東珠海、河北武安及石家莊建成三大生產基地，年收入30億元，凈利潤超過4億元。故事行至此處，仍是一個商人勵志造車，并一波三折，依靠自己的堅持與家鄉人的幫助才方得始終的故事。可是，造車、新能源皆屬燒錢項目，故事里沒有貴人相助顯然是不行的�！岸〗恪比刖治恒y倉講故事的能力很強。

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