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    Boost電路的一種軟開關(guān)實現(xiàn)方法
    發(fā)布者:yyyhdq  發(fā)布時間:2009-09-30 19:17:01

    引言

    輕小化是目前電源產(chǎn)品追求的目標(biāo)。而提高開關(guān)頻率可以減小電感、電容等元件的體積。但是,開關(guān)頻率提高的瓶頸是器件的開關(guān)損耗,于是軟開關(guān)技術(shù)就應(yīng)運而生。一般,要實現(xiàn)比較理想的軟開關(guān)效果,都需要有一個或一個以上的輔助開關(guān)為主開關(guān)創(chuàng)造軟開關(guān)的條件,同時希望輔助開關(guān)本身也能實現(xiàn)軟開關(guān)。

    Boost電路作為一種最基本的DC/DC拓?fù)涠鴱V泛應(yīng)用于各種電源產(chǎn)品中。由于Boost電路只包含一個開關(guān),所以,要實現(xiàn)軟開關(guān)往往要附加很多有源或無源的額外電路,增加了變換器的成本,降低了變換器的可靠性。

    Boost電路除了有一個開關(guān)管外還有一個二極管。在較低壓輸出的場合,本身就希望用一個MOSFET來替換二極管階段1〔t0~t1〕該階段,S1導(dǎo)通,L上承受輸入電壓,L上的電流線性增加。在t1時刻,S1關(guān)斷,該階段結(jié)束。

    2)階段2〔t1~t2〕S1關(guān)斷后,電感電流對S1的結(jié)電容進(jìn)行充電,使S2的結(jié)電容進(jìn)行放電,S2的漏源電壓可以近似認(rèn)為線性下降,直到下降到零,該階段結(jié)束。

    3)階段3〔t2~t3〕當(dāng)S2的漏源電壓下降到零之后,S2的寄生二極管就導(dǎo)通,將S2的漏源電壓箝在零電壓狀態(tài),也就是為S2的零電壓導(dǎo)通創(chuàng)造了條件。

    4)階段4〔t3~t4〕S2的門極變?yōu)楦唠娖剑琒2零電壓開通。電感L上的電流又流過S2。L上承受輸出電壓和輸入電壓之差,電流線性減小,直到S2關(guān)斷,該階段結(jié)束。

    5)階段5〔t4~t5〕此時電感L上的電流方向仍然為正,所以該電流只能轉(zhuǎn)移到S2的寄生二極管上,而無法對S1的結(jié)電容進(jìn)行放電。因此,S1是工作在硬開關(guān)狀態(tài)的。

    接著S1導(dǎo)通,進(jìn)入下一個周期。從以上的分析可以看到,S2實現(xiàn)了軟開關(guān),但是S1并沒有實現(xiàn)軟開關(guān)。其原因是S2關(guān)斷后,電感上的電流方向是正的,無法使S1的結(jié)電容進(jìn)行放電。但是,假如將L設(shè)計得足夠小,讓電感電流在S2關(guān)斷時為負(fù)的,如圖4所示,就可以對S1的結(jié)電容進(jìn)行放電而實現(xiàn)S1的軟開關(guān)了。

    在這種情況下,一個周期可以分為6個階段,各個階段的等效電路如圖5所示。其工作原理描述如下。

    1)階段1〔t0~t1〕該階段,S1導(dǎo)通,L上承受輸入電壓,L上的電流正向線性增加,從負(fù)值變?yōu)檎怠T趖1時刻,S1關(guān)斷,該階段結(jié)束。

    2)階段2〔t1~t2〕S1關(guān)斷后,電感電流為正,對S1的結(jié)電容進(jìn)行充電,使S2的結(jié)電容放電,S2的漏源電壓可以近似認(rèn)為線性下降。直到S2的漏源電壓下降到零,該階段結(jié)束。

    3)階段3〔t2~t3〕當(dāng)S2的漏源電壓下降到零之后,S2的寄生二極管就導(dǎo)通,將S2的漏源電壓箝在零電壓狀態(tài),也就是為S2的零電壓導(dǎo)通創(chuàng)造了條件。

    4)階段4〔t3~t4〕S2的門極變?yōu)楦唠娖剑琒2零電壓開通。電感L上的電流又流過S2。L上承受輸出電壓和輸入電壓之差,電流線性?小,直到變?yōu)樨?fù)值,然后S2關(guān)斷,該階段結(jié)束。

    5)階段5〔t4~t5〕此時電感L上的電流方向為負(fù),正好可以使S1的結(jié)電容進(jìn)行放電,對S2的結(jié)電容進(jìn)行充電。S1的漏源電壓可以近似認(rèn)為線性下降。直到S1的漏源電壓下降到零,該階段結(jié)束。

    6)階段6〔t5~t6〕當(dāng)S1的漏源電壓下降到零之后,S1的寄生二極管就導(dǎo)通,將S1的漏源電壓箝在零電壓狀態(tài),也就是為S1的零電壓導(dǎo)通創(chuàng)造了條件。

    接著S1在零電壓條件下導(dǎo)通,進(jìn)入下一個周期。可以看到,在這種方案下,兩個開關(guān)S1和S2都可以實現(xiàn)軟開關(guān)。

    2 軟開關(guān)的參數(shù)設(shè)計

    以上用同步整流加電感電流反向的辦法來實現(xiàn)Boost電路的軟開關(guān),其中兩個開關(guān)實現(xiàn)軟開關(guān)的難易程度并不相同。電感電流的峰峰值可以表示為

    ΔI=/L (1)

    式中:D為占空比;

    T為開關(guān)周期。

    所以,電感上電流的最大值和最小值可以表示為

    Imax=ΔI/2+I(xiàn)o (2)

    Imin=ΔI/2-Io (3)

    式中:Io為輸出電流。

    將式(1)代入式(2)和式(3)可得

    Imax=/2L+I(xiàn)o (4)

    Imin=/2L-Io (5)

    從上面的原理分析中可以看到S1的軟開關(guān)條件是由Imin對S2的結(jié)電容充電,使S1的結(jié)電容放電實現(xiàn)的;而S2的軟開關(guān)條件是由Imax對S1的結(jié)電容充電,使S2的結(jié)電容放電實現(xiàn)的。另外,通常滿載情況下

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